EDO RAM (RAM con salida de Datos Ampliada)
Estos
son SIMMs de 72 pines y DIMMs de 168 pins con chips de fabricación especial que
permiten un traslape temporal entre accesos sucesivos. La EDO RAM tiene una
arquitectura dual de contactos que permite que la unidad lea datos y vacíe
información en forma simultánea. Esto permite ciclos de accesos sucesivos más
pequeños y una mejora en el desempeño de alrededor de un 20% por encima de los
SIMMs normales sin EDO. La EDO RAM resulta ideal para sistemas con velocidades
de bus de hasta 66 MHz, lo cual se ajusta perfectamente con la arquitectura
actual y futura de los procesadores Pentium.
Otra variante de la EDO es la BEDO DRAM
(Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio con Salida de Datos Ampliada en Ráfaga).
La BEDO es básicamente la memoria EDO con características de ráfaga para una
transferencia de datos más veloz.
SDRAM (RAM estática Dinámica)
Es similar a la EDO RAM en que tiene una
estructura dual de conductos de datos. La SDRAM transmite información en ráfagas
a velocidades muy elevadas mediante una interfaz temporizada de alta velocidad.
El desempeño de la SDRAM es parecido al de la EDO RAM, con excepción de que la
SDRAM maneja velocidades de bus de 100 MHZ a 133 MHZ. La SDRAM está limitada
principalmente DIMMs.
SRAM
Este tipo de memoria es conocida también como
memoria caché. Este tipo de memoria es utilizado para mejorar el desempeño de
la memoria. Esta técnica reposa en una pequeña cantidad (de 8 KB a 512 Kb) de
memoria en línea de alta velocidad, lo suficientemente rápida para operar a la
velocidad del procesador con cero estados de espera. Este pequeño banco de
memoria caché a menudo se encuentra en el rango de 15 ns o menos en velocidad
de acceso. La SRAM es utilizada por un circuito especial controlador de caché
que almacena las ubicaciones de RAM que se accesan con frecuencia y está también
precargada con los valores RAM que el controlador de caché espera que se
accesan a continuación.
DDR ó RAMBUS
Es una
nueva tecnología de alto rendimiento que utiliza un interface chip-a-chip muy
avanzado y rápido, permitiendo transferencias de datos 10 veces mayor que un
DIMM SDRAM de 66MHz y 3 veces mayor que un DIMM SDRAM a 100Mhz.
Esta
tecnología se caracteriza por presentar una topología física de bus e
incrementa por 3 o 4 la frecuencia de ciclo de reloj del bus de datos. Los módulos
RIMM vienen con frecuencias de reloj de 300MHz, 356MHz y 400MHz. En cada ciclo
de reloj realiza dos operaciones, lo que permite aumentar su tasa de datos a
los estándares PC600, PC700 y PC800.
Utilizan nuevos chips y se ensamblan en placas
de igual tamaño a los DIMM, pero con 184 contactos en lugar de 168 pins del
DIMMs.
Aplicaciones de la tecnología Rambus
La
ampliación de la anterior tecnología RDRAM (concurrente), doblando el ancho de
bus de datos de 8bits a 16bits, ha permitido conseguir transferencias de datos
de hasta 1,6GB/s.
Con la incorporación de un segundo canal podría
alcanzar hasta 3,2GB/s. Puede funcionar a 600/700/800MHz de ancho de banda.
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